6 月 3 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經濟日報》報道，臺灣地區內存企業南亞科技正在 AI DRAM 加速布局，力爭在三大原廠全力爭奪 HBM 市場的環境下從定制領域分得一杯羹。
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南亞科技總經理李培瑛表示，AI 應用內存的四大關鍵元素分別是高密度先進 DRAM、3D TSV 硅通孔工藝與多芯片封裝、HBM 設計能力、邏輯 Base Die（IT之家注：基礎裸晶）。
南亞科技目前已完成高密度先進 DRAM 技術部署，正同伙伴補丁科技、福懋科技一道推進 TSV 和封裝，HBM 設計和邏輯制程 Base Die 則將以戰略性投資與合作形式實現。其定制化 DRAM 項目預計最快可在 2026 年取得驗證，2026 年底至 2027 年貢獻業績。
對于當前市場環境，由于三大內存原廠減產停產 DDR3、DDR4，南亞科技正承接轉單需求。而在市場提前備貨的趨勢下，南亞科技有望在三季度清理完畢庫存，四季度力拼扭虧為盈。